6月11日至13日，以“开放合作：赋能新质生产力与可持续发展”为主题的第十一届中国（上海）国际技术进出口交易会（以下简称“上交会”）在上海世博展览馆举行,我校10项科技成果亮相高校展区

我们通常把导电性差的材料，如煤、人工晶体、琥珀、陶瓷等称为绝缘体（insulator），而把导电性比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体（conductor），介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体（ semiconductor）。而半导体行业常说的“半导体”，所代表的是导电性可受控制的半导体

GaN宽禁带电力电子器件代表着电力电子器件领域发展方向，材料和工艺都存在许多问题有待解决，即使这些问题都得到解决，它们的价格肯定还是比硅基贵。预计到2019年，硅基GaN的价格可能下降到可与硅材料相比拟的水平。由于它们的优异特性可能主要用于中高端应用，与硅全控器件不可能全部取代硅半控器件一样，SiC

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。

​结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET)；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πM

第一代半导体材料是硅，主要解决数据运算、存储的问题；第二代半导体是以砷化镓为代表，它被应用到于光纤通讯，主要解决数据传输的问题；第三代半导体则是以为代表的一系列相关产品，尤其是氮化镓，它在电和光的转化方面性能突出。

氮化镓 (GaN) 技术是一项相对较新的半导体技术，氮化镓 (GaN) 晶体管于20世纪90年代才被发现。前面讲过，它与半导体材料中第一代的Si以及第二代的GaAs等相比，GaN功率器件的性能具有明显优势。GaN器件是平面器件，与现有的Si半导体工艺兼容性强，因此更容易与其他半导体器件集成，进一步降